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Conozca cuales son las diferencias entre los transistores BJT y FET
¿Cuáles son las diferencias entre los transistores BJT y FET?
Los BJT y FET son dos tipos diferentes de transistores conocidos como dispositivos semiconductores activos. El acrónimo de BJT es Transistor de unión bipolar y FET significa Transistor de efecto de campo. BJTs y FETs están disponibles en una variedad de paquetes basados en la frecuencia de operación, corriente, voltaje y potencias.
Estos tipos de dispositivos permiten un mayor grado de control sobre su funcionamiento. BJTs y FET se pueden utilizar como interruptores y amplificadores en circuitos eléctricos y electrónicos. La principal diferencia entre BJT y FET es que, en un transistor de efecto de campo, sólo la carga mayoritaria transporta flujos, mientras que en BJT los flujos de portadores de carga mayoritarios y minoritarios fluyen.
Estos tipos de dispositivos permiten un mayor grado de control sobre su funcionamiento. BJTs y FET se pueden utilizar como interruptores y amplificadores en circuitos eléctricos y electrónicos. La principal diferencia entre BJT y FET es que, en un transistor de efecto de campo, sólo la carga mayoritaria transporta flujos, mientras que en BJT los flujos de portadores de carga mayoritarios y minoritarios fluyen.
Transistores BJT
Los transistores BJT, son un tipo de transistor que permite circular corriente en una dirección de forma controlada. Es bipolar, o sea está formado por dos uniones PN. Estas uniones son están separadas por un espacio muy estrecho. Lo que permite que tenga 3 estados:
-
-Colector
-
-Emisor
-
-Base
Transisitor NPN
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Transistor PNP
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Transistores FET
El término FET significa transistor de efecto de campo y también se denomina transistor unipolar. FET es un tipo de transistor, donde la corriente o / p está controlada por campos eléctricos. El tipo básico de FET es totalmente diferente de BJT. El FET consta de tres terminales, estas son terminales de:
Los portadores de carga de este transistor son agujeros o electrones, que fluyen desde la terminal de fuente a la terminal de drenaje a través de un canal activo. Este flujo de portadores de carga puede controlarse mediante el voltaje aplicado a través de los terminales de fuente y puerta.
- -Fuente
- -Drenador
- -Compuerta.
Los portadores de carga de este transistor son agujeros o electrones, que fluyen desde la terminal de fuente a la terminal de drenaje a través de un canal activo. Este flujo de portadores de carga puede controlarse mediante el voltaje aplicado a través de los terminales de fuente y puerta.
Canal N
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Canal P
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BJT vs FET
-
-BJT significa transistor de unión bipolar y FET es el acrónimo de Transistor de efecto de campo.
- -BJT es bipolar, es decir, hay un flujo de electrones portadores de carga minoritarios y mayoritarios, mientras que FET es unipolar, es decir, hay un flujo de electrones portadores solo mayoritarios.
- -El BJT se controla usando la corriente de entrada (corriente base), mientras que FET se controla usando el voltaje de entrada (voltaje de puerta).
- -La impedancia de entrada de FET es mucho mayor en comparación con el BJT.
- -Los tres terminales de BJT son emisor, base y colector, mientras que FET es drenaje, compuerta y fuente
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