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El transistor BS250 puede ser utilizado en conmutación de Carga en Circuitos Electrónicos, Amplificación de Señales en Audio y RF, Regulación de Voltaje, Dispositivos de Conmutación, Fuentes de Alimentación, Controladores de Motor y Actuadores.
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El transistor MOSFET BS250 es un dispositivo de canal P que pertenece a la categoría de transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET). Este tipo de transistor opera en modo de mejora, lo que significa que la conducción entre el drenador y la fuente se establece mediante la aplicación de un voltaje adecuado en la compuerta.
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Voltaje Drenaje-Fuente (VDS): |
45V |
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Voltaje Drenaje-Compuerta (VDGS): |
45V |
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Voltaje Compuerta-Fuente (pulsado) (VGSO): |
±20 V |
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Corriente Drenaje (continua) (ID): |
250mA |
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Potencia Disipada (Tamb = 25 °C) (Ptot): |
0.83 W |
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Temperatura de la Unión (Tj): |
150 °C |
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Rango de Temperatura de Almacenamiento (TS): |
-65 a +150 °C |
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Corriente Drenaje (valor pico): |
0.5 A |
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Caída de Voltaje Directo (típica) |
0.83 V |
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