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Transistor Mosfet 2N7000 60 VDC 350 mA de montaje superficial
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Estos transistores están diseñados para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor PWM, circuitos de puente y aplicaciones de conmutación de uso general. El Mosfet 2N7000 cuenta con una capacidad de 350 mA, baja capacitancia de entrada y carga de puerta, baja resistencia de entrada de puerta.
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Polaridad del transistor: |
Canal N |
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Voltaje entre drenaje y fuente (Vds): |
60 VDC |
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Corriente continua de drenaje (Id): |
350 mA |
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Resistencia en drenaje y fuente (Rds): |
1.2 mΩ |
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Voltaje entre puerta y fuente (Vgs): |
-20 a 20 VDC |
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Temperatura de trabajo: |
-55º C a 150º C |
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Empaquetado: |
TO-92-3 |
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Montaje: |
Through Hole |
Hoja de datos transistor Mosfet 2N7000
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