El transistor de efecto de campo MOSFET es un utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.
IRF540 MOSFET Canal N 100V - 28A TO-220, está diseñado para soportar un nivel específico de energía en el modo de funcionamiento en ruptura de avalancha. Estos MOSFET de potencia están diseñados para aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia.
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Tipo de Encapsulado |
TO-220 |
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Transistor equivalente a |
NTE2396A |
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Transistor Mosfet (óxido de metal) |
Canal N |
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Voltaje Drain - Source (VDSS) |
100V |
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Voltaje Drain - Gate (VDGR) |
100V |
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Voltaje Gate - Source (VGS) |
± 20V |
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Corriente Drain (ID) |
28A |
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Corriente Pulsada en Drain (IDM) |
110A |
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Resistencia de Conducción (RDS) |
0.077 Ω |
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Potencia Máxima Disipada (PD) |
120W |
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Corriente drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
28A (Tc) |
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Temperatura operativa máxima (Tj) |
175 °C |
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Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th) |
4V |
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Carga de compuerta (Qg): 72 nC |
72 nC |
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Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF |
2100 pF |
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Resistencia drenaje-fuente RDS(on) |
0.077 Ohm |
1x Transistor Mosfet IRF540 100V 33A TO-220
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