Transistor Mosfet IRF540 100V 33A TO-220  - 1
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Transistor Mosfet IRF540 100V 33A TO-220

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El transistor de efecto de campo MOSFET es un utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.

IRF540 MOSFET Canal N 100V - 28A TO-220, está diseñado para soportar un nivel específico de energía en el modo de funcionamiento en ruptura de avalancha. Estos MOSFET de potencia están diseñados para aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia. 

Características: 

Tipo de Encapsulado

TO-220

Transistor equivalente a

 NTE2396A

Transistor Mosfet (óxido de metal)

Canal N

Voltaje Drain - Source (VDSS)

100V

Voltaje Drain - Gate (VDGR)

100V

Voltaje Gate - Source (VGS)

± 20V

Corriente Drain (ID)

28A

Corriente Pulsada en Drain (IDM)

110A

Resistencia de Conducción (RDS)

0.077 Ω

Potencia Máxima Disipada (PD)

120W

Corriente drenaje continuo (Id) a 25 ° C

28A (Tc)

Temperatura operativa máxima (Tj)

175 °C

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th)

4V

Carga de compuerta (Qg): 72 nC

72 nC

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF

2100 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on)

0.077 Ohm

 

 

 

IRF540   Ficha de datos

BZT52C3V3-7 Datasheet

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CONTENIDO

1x Transistor Mosfet IRF540 100V 33A TO-220

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