Transistor Mosfet FDD8580 20V 35A SMD TO-252
Transistor Mosfet FDD8580 de 20V a 35A de montaje superficial.
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Un diodo Schottky está constituido por la unión de metal semiconductor en lugar de la unión convencional PN, donde en un diodo normal en frecuencias bajas puede conmutar fácilmente cuando la polarización cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutación es mayor poniendo así en peligro el dispositivo, mientras que en un diodo de barrera si el semiconductor esta dopado con electrones móviles (tipo N) estos desempeñan un papel significativo en la operación del diodo.
Voltaje máximo en inversa (Vrm): |
45V |
Corriente de salida rectificada (Io): |
50 mA |
Montaje: |
SMD |
Empaquetado: |
LL-34 |
Temperatura de trabajo: |
-55º C a 150º C |
1x Diodo De Barrera Schottky 1N60 SMD
Transistor Mosfet FDD8580 de 20V a 35A de montaje superficial.
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